Transistor HEMT en GaN pour les applications Haut Débit

1 - Introduction

Transistor HEMT en GaN

Les potentialités des transistors à effet de champ à grande mobilité électronique HEMTs à base de l’hétérostructure AlGaN/GaN intéressent fortement la communauté scientifique internationale et sont certainement les plus étudiés actuellement au niveau mondial. Ils sont apparus comme candidats attractifs pour les applications à forte tension, puissance élevée aux fréquences micro-ondes. Grâce aux polarisations spontanées et piézoélectriques, ils ont la facilité de réaliser un gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG) à l'interface avec une concentration de l'ordre 10¹³cm^-2 sans dopage intensionnel.